《SiC晶片的残余应力检测方法》等六项团体标准实施

2019年12月30日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布《SiC晶片的残余应力检测方法》等六项团体标准的公告。

根据《中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准管理办法》的相关规定，批准发布《SiC 晶片的残余应力检测方法》、《功率半导体器件稳态湿热高压偏 置试验》、《碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法》、《导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法》、《碳化硅单晶抛光片表 面质量和微管密度测试方法——共焦点微分干涉光学法》、《半绝缘碳化硅单晶 片电阻率非接触测量方法》六项团体标准。上述六项标准自 2019年12月27日发布，自2019年12月31日起实施。

附件：关于批准发布SiC晶片的残余应力检测方法等六项团体标准的公告1227.pdf