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更新时间：2018-11-06 16:44:58382
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等离子增强化学气相沉积系统
配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也适用于要求快速升降温的CV
TF1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition) 等离子体增强化学气相沉积法
等离子增强化学气相沉积系统
设备介绍：
本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
产品简介：
此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
主要组成系统及特点：
本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。
主要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
开启式真空管式炉技术参数
石英管尺寸
L1400mm *（根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有 40， 60， 80， 100， 120， 150等规格可选。）
加热元件
掺钼铁铬铝合金电阻丝
测温元件
K型热电偶
加热区长度
400mm
恒温区长度
200mm
工作温度
1100℃
控温模式
模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能
控温精度
1℃
升温速率
20℃/min
电功率
AC220V/50HZ/3KW
质量供气系统技术参数（根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供选择。）
外形尺寸
600x600x600mm
标准量程
50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）；
数显压力表测量范围
-0.1Mpa～0.15Mpa
极限压力
3MPa
针阀
316不锈钢
截止阀
6mm 316不锈钢针阀
电功率
AC220V/50HZ/20W
响应时间
气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec
准确度
1.5%
线性
0.5～1.5%
重复精度
0.2%
接口
6,1/4
真空系统技术参数（根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1（极限真空0.1Pa），GZK10-3（极限真空0.001Pa），以及进口高真空机组（极限真空0.0001Pa）供选择。）
外型尺寸
600 600 600mm
工作电电压
220V 10% 50~60HZ
功率
400W
抽气速率
4Ls
极限真空
4X10-2Pa
实验真空度
1.0x10-1Pa
容油量
1.1L
进气口口径
KF25
排气口口径
KF25
转速
1450rpm
射频电源（根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射频电源供选择）
信号频率
13.56 MHz 0.005%
功率输出范围
5-300W 5W-500W可选
最大反射功率
200W
射频输出接口
50 , N-type, female
功率稳定度
0.1%
谐波分量
-50dbc
供电电压
单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ
整机效率
=70%
功率因素
=90%
冷却方式
强制风冷
艾科迅部分客户（CVD及PECVD及管式炉系列）
等离子增强化学气相沉积系统
常见PECVD系统组合
1. 1200度60滑轨式微型管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，300W射频电源
TF1200-60S-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ300
2. 1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源
TF1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500
3. 1200度60双温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源
TF1200-60II-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500
4. 1200度60三温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源
TF1200-60III-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500
5. 1200度60微型预热炉，1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源
TF1200-60S，MXG1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500
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