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光刻工艺技术基础-涂胶_91化工仪器网

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放大字体  缩小字体    发布日期:2019-09-02  来源:仪器信息网  作者:Mr liao  浏览次数:904
核心提示:光刻工艺技术基础-涂胶涂胶1.静态滴胶2.旋转铺开3.甩掉多余的胶4.溶剂挥发涂胶过程匀胶后在衬底边缘处会形成较厚的边(边珠效 应,这会影响到光刻的图形精度)。可在涂胶 过程中加入去边及背喷工艺( PGMEA、 EGMEA 为常用去边液)。去边过程涂胶成膜过程中各种案例分析1.表面出现气泡滴胶时,胶液中混有气泡喷嘴有问题或者喷嘴不规整2.放射状条纹胶液喷射速度过高,设备排气速度过高滴胶过后静止时间过长匀胶转速或者加速度设置过高基片前处理不到位有颗粒残留或者胶液中有颗粒3.中心漩涡图案设备排气速度过高滴胶时
光刻工艺技术基础-涂胶涂胶

1.静态滴胶2.旋转铺开3.甩掉多余的胶4.溶剂挥发

涂胶过程匀胶后在衬底边缘处会形成较厚的边(边珠效 应,这会影响到光刻的图形精度)。可在涂胶 过程中加入去边及背喷工艺( PGMEA、 EGMEA 为常用去边液)。

去边过程涂胶成膜过程中各种案例分析 

1.表面出现气泡

滴胶时,胶液中混有气泡

喷嘴有问题或者喷嘴不规整

 

 

2.放射状条纹

胶液喷射速度过高,设备排气速度过高

滴胶过后静止时间过长

匀胶转速或者加速度设置过高

基片前处理不到位有颗粒残留或者胶液中有颗粒

3.中心漩涡图案

设备排气速度过高

滴胶时偏离衬底中心

匀胶旋涂时间过长

 

4.中心元晕

不适合的托盘

滴胶喷嘴偏离基片中心

 

 

5.胶液未涂满衬底

胶液量不足

匀胶旋涂速度过低或过高

 

 

6.针孔

胶液中存在颗粒或者气泡

基片衬底前处理不彻底表面存在颗粒

 

 

 

 


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