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深能级瞬态谱仪1-91化工仪器网

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放大字体  缩小字体    发布日期:2019-09-02  来源:仪器信息网  作者:Mr liao  浏览次数:638
核心提示:纳米微米压痕划痕测试仪;近场扫描光学显微镜;接触角测量仪;表面张力仪;LB膜分析仪;开尔文探针系统(功函数测量);表面等离子共振谱仪(SPR);轮廓仪;摩擦计;(显微)硬度计;磁控溅射仪;热蒸发电子束蒸发沉积;等离子增强气相沉积系统(PECVD);原子层沉积系统(ALD);快速退火炉;霍尔效应仪;探针台;光致发光扫描仪(PL);椭偏仪;膜厚仪;气溶胶发生器,粒径谱仪,稀释器;滤料测试系统;烟雾发生器;空气示踪器;zeta电位分析仪;内表面粗糙度测量仪;(氙灯)光反应器;太阳模拟器;高压反应釜; 科睿设备有

纳米微米压痕划痕测试仪;近场扫描光学显微镜;接触角测量仪;表面张力仪;LB膜分析仪;开尔文探针系统(功函数测量);表面等离子共振谱仪(SPR);轮廓仪;摩擦计;(显微)硬度计;磁控溅射仪;热蒸发电子束蒸发沉积;等离子增强气相沉积系统(PECVD);原子层沉积系统(ALD);快速退火炉;霍尔效应仪;探针台;光致发光扫描仪(PL);椭偏仪;膜厚仪;气溶胶发生器,粒径谱仪,稀释器;滤料测试系统;烟雾发生器;空气示踪器;zeta电位分析仪;内表面粗糙度测量仪;(氙灯)光反应器;太阳模拟器;高压反应釜;


 科睿设备有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )为多家国外高科技仪器厂家在中国地区的代理。科睿公司一贯秉承『诚信』、『品质』、『服务』、『创新』的企业文化,为广大中国用户提供仪器、设备,最周到的技术、服务和完美的整体解决方案。在科技日新月异、国力飞速发展的中国,纳米科学研究、薄膜材料(包括半导体)生长和表征、表面材料物性分析、生物药物开发、有机高分子合成等等领域,都需要与欧美发达国家完全接轨的仪器设备平台来实现。科睿设备有限公司有幸成长在这个火热的年代,我们愿意化为一座桥梁,见证中国科技水平的提升,与中国科技共同飞速成长。
      科睿设备有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)总部设在中国香港,在中国上海设立了分公司,在国内多个城市设立了办事处或维修站,旨在为客户提供全方位的产品和服务。2010年,科睿设备有限公司在上海设立备品仓库及维修中心,同时提供在大陆的各项技术服务和后期的维修保障服务,我们拥有专业的应用维修人员,并且都曾到国外厂家进行了专门的培训。上海配备了多种维修部件,能使我们的服务更加快捷和方便。我们承诺24小时电话响应,72小时内赶到现场维修。以利于更好、更快的为中国大陆服务! 
      因为信任,所以理解.我们理解用户的困难和需求。我们已经为国内众多科研院所和大学根据用户的要求配制和提供了上百套系统,主要用户包括:中科院物理所,中科院半导体所,中科院大连化学物理研究所,国家纳米中心,上海纳米中心,北京大学,清华大学,中国科技大学,南京大学,复旦大学,上海交通大学,华东理工大学,浙江大学,中山大学,西安交通大学,四川大学,中国工程物理研究院,香港大学,香港城市大学,香港中文大学,香港科技大学等。

 


深能级瞬态谱仪1

深能级瞬态谱仪1(DLTS)
  深能级瞬态谱(Deep Level Transient Spectroscopy)是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱(DLTS)的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具有极高检测灵敏度(检测灵敏度通常为半导体材料中掺杂济浓度的万分之一)的实验方法,能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描,可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的DLTS 谱。集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析,可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布。
  Semetrol DLTS集成多种自动的测量模式及全面的数据分析,可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布,也可用于光伏太阳能电池领域中,分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位,确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。该仪器测量界面态速度快,精度高,是生产和科研中可广为应用的测试技术.
 
主要特点 :
 自动连线检测;
 自动电容补偿功能;
 探测灵敏度高
 瞬态电流测量;
 傅里叶转化功能;
 深能级瞬态谱分析;
 
应用领域 :
检测Si、ZnO、GaN等半导体材料中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。
 
 
 
Semetrol DLTS系统配置:
- 脉冲发生器
电压范围: 20.4 V ( 102 V opt.)
脉冲宽度:1 s - 1000 s
- 电容测量
高频信号100 mV @ 1 MHz (20 mV 可选)
电容范围 [pF] 3, 30, 3000 3000 (自动或手动)
灵敏度 0.01 fF
- 电压测量:
范围 10 V
灵敏度 1 V
 
温度范围:30K~450K
电阻范围:0.1 mOhm - 10 GOhm
 
 
 
多种测量模式:
  C-DLTS(电容模式)
  CC-DLTS (定电容模式)
  I-DLTS (电流模式)
  DD-DLTS (双关联模式)
  Zerbst-DLTS (Zerbst模式)
  O-DLTS (光激发模式)
  FET-Analysis (FET分析)
  MOS-Analysis (MOS分析)
  ITS (等温瞬态谱)
  Trap profiling
  CCSM(俘获截面测量)
  I/V,I/V(T) (查理森Plot分析)
  C/V, C/V(T)
  TSC/TSCAP
  PITS (光子诱导瞬态谱)
  DLOS (特殊系统)

 
 
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