磁光克尔效应测量系统

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产品简介

磁光克尔效应测量系统

市场上配置最灵活的磁光克尔效应测量系统u-MOKE

当聚焦激光束照射磁性材料（主要是磁性薄膜）时，因纵向磁光克尔效应和极向磁光克尔效应会造成激光偏振态变化（克尔偏转角变化），磁光克尔效应测量系统u-MOKE就是一套精确测量克尔偏转角变化的设备。

磁光克尔效应测量系统u-MOKE通过装备的极向/面内磁体产生磁场测量偏振态的变化，可以测量分析磁性材料um量级局部区域的磁学特性。

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应用：

n 基于极向克尔效应与纵向克尔效应的微观局部磁性分析

n 适用于磁象和磁性薄膜的um尺寸灵敏度分析

n 主要参数：
光源：半导体激光器（典型405nm）

n 光斑直径：纵向测量：约5um

极向测量：约2um

n 探测灵敏度：±0.005°

n 探测范围：±1°

n 磁场：极向磁体： ±10kOe

面内磁体可选

测量项目：

磁滞回线：X轴：外加磁场H

Y轴：克尔信号θk

获得关键值（from磁滞回线）：矫顽力Hc

各项异性场Hk

反向磁化Hn

饱和磁场Hs

剩余磁化强度θr

饱和磁化强度θs

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高灵敏度磁光克尔效应测量系统灵敏度0.001°

时间分辨磁光克尔效应测量系统时间分辨率50ps

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