晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 1KJ[ jS ]
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ): r IR
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： MW=rX tE
1、顶层设计 k\ZU% ^J
2、仿真 Ppx4#j
3、热设计及功耗 B ~BX[
4、资源利用、速率与工艺 - QpQ7q1
5、覆盖率要求 ytV4qU82G
6、 t~Ic{%bdA
四、具体到测试有哪些需要关注： SW HiiF@
1、可测试性设计 W=,]#Z+M;
2、常规测试：晶圆级、芯片级 8Z 0@-8vi
3、可靠性测试 c{jTCkzq
4、故障与测试关系 K=dG-
+B~}
5、 W@~a#~1O
+V#dJ[,8;.
测试有效性保证； |Lc.XxBkc
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？  x![ut  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 cn rBY
h`}I3Ao
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Nh6!h%
晶圆的工艺参数监测dice， Vj[,o Vt$
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Ul|htB 1:
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 `L.nj6F
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  a!;K+wL
故障种类： :n oZ p:a
缺陷种类： 0|(6q=QK
针对性测试： fc%C!^7
~Ecx f4nX
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test YKa9]Q
|PLWF[+t8
t;lK=m|
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； szy2 ~hm
仿真与误差， {z8wFL\
n 预研阶段 Vc  +|^
n 顶层设计阶段 !Ee e~
n 模块设计阶段 e`% D[-
n 模块实现阶段 Bv}nG|
n 子系统仿真阶段 oh 0}Gc8
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 r6}-EYq=
n 后端版面设计 LLwC*)#
n 测试矢量准备 *djtO
n 后端仿真 mB*; 
n 生产 eo4v[V
n 硅片测试 N1 9 c
顶层设计： @Y+9 )?
n 书写功能需求说明 _MUSXB
n 顶层结构必备项 7J\8JR =
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 !Bb^M3iA  
n 完成顶层结构设计说明 -2y X`1Y
n 确定关键的模块（尽早开始） ~6Hi 
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n 确定需要的第三方IP模块 W/ C$T4
n 选择开发组成员 IsB=G-s
n 确定新的开发工具 6ieP` bct
n 确定开发流程/路线 3y:cPTM5
n 讨论风险 GhY MO6Q4
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 AJ85[~(lX
n 国软检测 芯片失效分析中心