光学薄膜

光学薄膜 光学薄膜由薄的分层介质构成的，通过界面传播光束的一类光学介质材料。光学薄膜已广泛用于光学和光电子技术领域，制造各种光学仪器。主要的光学薄膜器件包括反射膜、减反射膜、偏振膜、干涉滤光片和分光镜等等。利用光学薄膜可提高硅光电池的效率和稳定性。光学薄膜的特点是：表面光滑，膜层之间的界面呈几何分割；膜层的折射率在界面上可以发生跃变，但在膜层内是连续的。 精品推荐
品牌： 美国MicroChem 型号： SU-8 2000 系列/SU-8 3000 系列 产地：美国 供应商：香港电子器材有限公司

产品简介Microchem的产品分类: Application Note (pdf) SU-8 2000 and 3000 series ResistsKMPR 1000 PhotoresistPMGI and LOR ResistsPMMA ResistAncillariesMicroSpraySU-8 2000 系列- 厚度范围，单层涂胶厚度为 0.5 to 200 μm- 高深宽比： 10:1- 更多挥发性溶剂，与传统去边工艺兼容- 降低了极性溶剂含量减小表面张力- 表面活性成分，改善涂覆效果- 多用于MEMS，钝化层应用LED 微流以及光电子器件制作SU-8 3000 系列SU-8 3000常用于永久性结构制作，较SU-8 2000具有更好的基底粘附力，更不易于在工艺过程中产生内应力积累。高深宽比： 5:1。常用于光电器件，MEMS芯片制作，以及作为芯片绝缘、保护层使用。相关溶液：稀释剂：SU-8 Thiner,显影液：SU-8 Developer 去胶剂：Remover PG，增附剂：OmniCoat10µm features in 50µm SU-8 3000 (contact expose)Source: MicroChem內應力對比圖熱穩定性和機械性能對比Learn MoreSU-8 3000 Data SheetFAQsTable of PropertiesTechnical References: SU-8DisclaimerAPPLICATIONS NOTESPassivationMicrofluidics KMPR系列KMPR为负性光刻胶，具有与SU-8光刻胶相同的侧壁效果与深宽比( 5:1 )，易于去除。常用于MEMS,电铸，DRIE等。相关溶液：去胶：Remover PG显影：碱性 TMAH 2.38%，或有机 SU-8 developerMaterial uses:MEMSDRIEElectroplatingPermanent StructuresMaterial attributes:High aspect ratio with vertical sidewallsHigh chemical and plasma resistanceGreater than 100 µm film thickness in a single coatExcellent adhesion to metalsWet strips in conventional strippersExcellent dry etch resistancePlatingPermanentDeep EtchPlating (100 µM tall Ni posts, KMPR removed)Electroformed Ni gear after stripping KMPRSource: Univ. of BirminghamLearn MoreKMPR Data SheetDisclaimerAPPLICATIONS NOTESPixel WallsDielectric LayersHAR Micro-plated structuresPMGI LOR 底层去阻PMGI與LOR去阻，可提高生產量。金屬剝離處理中的各種從數據存儲和無線芯片的應用，以微機電系統。使用下面的雙層堆疊光致抗蝕劑，PMGI和LOR延伸剝離處理的限制之外，其中單層抗蝕策略可以達到。這包括非常高的分辨率金屬（4µm微米）的金屬化。這些獨特的材料，可在各種處方，以滿足幾乎所有客戶的需求。PMGI与LOR抵抗使产量高，金属剥离处理中的各种从数据存储和无线芯片的应用，以微机电系统。使用下面的双层堆叠光致抗蚀剂，PMGI和LOR延伸剥离处理的限制之外，其中单层抗蚀策略可以达到。这包括非常高的分辨率金属（4µm微米）的金属化。这些独特的材料，可在各种处方，以满足几乎所有客户的需求。Material uses:metal lift-off processingAirbridge fabricationRelease layersMaterial attributes:不会混用时，过涂有光刻胶成像 双层堆叠的TMAH或KOH开发单步发展热稳定性高：TG〜190℃快速，干净地消除在常规Resist stripper 启用子.250微米微米的双层光阻成像可实现高产量，很厚的（ 3µm）的金属剥离处理LOR双层Lift-off专用光刻胶高分辨，可用于 0.25 μm Lift-off 工艺undercut 结构可控，溶解速率易于调节在Si，NiFe，GaAs，nP和其它III-V材料上有良好的粘附力与 g-， h-，i-line，DUV，193 nm 和 E-beam 光刻胶等兼容良好的耐热稳定性去胶容易，剥离干净Bi-Layer Lift-Off Process              Lift-Off: An enabling, additive lithographic processGaAs Modulator with Al airbridgeSource: NortelPMGI used as a sacrificial layer on which the airbridge was built. The PMGI layer was subsequently removed with conventional resist removal processing. Learn More LOR / PMGI Data SheetFAQsProduct Selection GuideRange of ProductsOptimization of Bi-Layer Lift-off Resist ProcessAPPLICATION NOTESAirbridgesT-GateMicrolensesCantileversMicrofluidics PMMA光刻胶PMMA正性抗蚀剂是基于特殊牌号聚甲基丙烯酸甲酯的目的是提供高对比度，高分辨率的电子束，远紫外线（220-250nm的）和X-射线光刻工艺。此外，聚甲基丙烯酸甲酯通常被用作保护层中的III-V器件晶片减薄的应用程序。标准产品包括广泛的氯苯配制的膜厚，或更安全的溶剂苯甲醚495000和950000的分子量（MW）。另外50,000，100,000，200,000和220万兆瓦可根据要求提供。共聚物的抗蚀剂是基于PMMA的〜8.5％的甲基丙烯酸的混合物。共聚物甲基丙烯酸甲酯(8.5)MAA 常用于与聚甲基丙烯酸甲酯组合在双层剥离抗蚀剂工艺，其中的每一个光盘的大小和形状的独立控制抗蚀剂是必需的层。标准的共聚物的抗蚀剂被配制在更安全的溶剂乳酸乙酯和可在一个宽范围的薄膜厚度的。此外，甲基丙烯酸甲酯（17.5）MAA共聚物的抗蚀剂可根据要求提供。应用于 PMMA Ccopolymer Resists （MMA (8.5)MAA)T-gate resulting from PMMA/Copolymer bilayer resist stack. 相关溶液:电子束抗蚀剂：可用于电子束，X线，DUV曝光 特征尺寸： 0.1μm，多种分子量和固含量可选与多数基底的粘附力非常好，亦适合多层涂覆工艺显影液 MIBK：IPA分子量大小：495K,950K，其它可选溶剂： 苯甲醚A或氯苯C固含量：2%~11%，或其它可选。用途： 电子束光刻，晶圆减薄，T-Gate等。PMMA Copolymer Resists:PMMA Resist Data Sheet应用Top Layer Construction Combined Layer Construction​Lightlink Optical Waveguide Materials 光波导材料Licensed from the Dow Chemical Company (陶氏化学授权)  Lightlink™产品线 是专为软或硬基板上制造平面高分子光内连线而设计开发. 本类矽氧烷材料展现极佳光学特性和对热及湿气的稳定性, 因此极为适合应用在光波导上. 对於其他有光学特性及环境稳定性需求的应用亦有极高潜力. 产品应用: 多模传输(830-860 nm) 单模传输 (1300-1500 nm, 短路徑) 板级光互连 材料特色: 相容於目前制程设备可使用微影定义图形, 水系显影剂, 支援1:1深宽比和10um解析力对可见光及进红外光有高穿透性低光损达 0.05 dB/cm at 850 nm低双折 射 0.0001 at 850 nm优越的环境及湿度可靠性高机械强度 光波导制造流程概览步骤 1. 涂布及烘烤LIGHTlink™ Clad步骤 2. 涂布及烘烤LIGHTlink™ Core 步骤 3. 曝光及曝後烤, 显影LIGHTlink™ Core步骤 4. 涂布及烘烤LIGHTlink™ CladCore structure on Silicon  spin-coating, softbakeand mask lithography.Source: MicroChemWaveguide structure on FR4 PCB spin-coating,softbake and mask lithography.Source: MicroChem PriElex® Jettable Polymeric MaterialsPriElex®是一个新的具有功能性油墨的高分子材料，可用喷墨印刷的方式来制作电子元件。PriElx聚合油墨设计及喷墨特性的优化，可适用於无光罩式微影、快速成型、和乾净非接触式印刷。比起其它一般光阻材料PriElx更为了喷墨性能，例如粘度、蒸发速率、表面张力、等待时间，耐热稳定性等来做特别开发。MicroChem目前可提供XPPriElx SU-8 1.0，是一种可喷墨式的SU-8光阻材料，可用喷墨方式来制作单层或多层的结构。配合FUJIFILM Dimatix 材料喷墨机使用，可应用在微结构制造上。目前还有其它功能性喷墨材料在研发中。 PriElex® SU-8 材料用途:不需要光罩微影可制作永久的三维结构可涂布在不规则面的底材上可图案化做绝缘和隔离层使用蚀刻遮罩和其它应用PriElex® SU-8 材料屬性:低溫固化 ( 150° C)光学透明性佳优异热稳定性高耐化性低杨氏系数减少材料浪费Continuous Printed PatternsPriElex® SU-8 Direct Write: 5 passes, linear scanSource: MicroChem Corp Additive Via FabricationVia pattern created with additive inkjet processSource: MicroChem Corp

品牌： 美国DJ MicroLaminates 型号： SUEX/SUEX Plus/ADEX 产地：美国 供应商：香港电子器材有限公司

产品简介SUEX/SUEX Plus/ADEX干膜光刻胶- 总处理时间：小于5分钟- 卓越的厚度均匀性， 边缘无光刻胶堆积- 高热稳定性-高韧性- 无锑化学环境，无材料浪费 选择干膜的优势- 无需昂贵的匀胶和烘胶设备- 对Fab环境要求较低- 整片晶圆上厚度均匀- 无需去边工艺- 100%平坦化（真空压膜）- 胶膜内部成份分布均匀- 适合UV和X射线曝光- 高透过率- 生产过程中减少了溶剂使用- 绿色环保 ​

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