离子束刻蚀系统

离子束刻蚀系统 离子束刻蚀系统也称为离子铣，是指当定向高能离子向固体靶撞击时,能量从入射离子转移到固体表面原子上，如果固体表面原子间结合能低于入射离子能量时，固体表面原子就会被移开或从表面上被除掉。通常离子束刻蚀所用的离子来自惰性气体。离子束最小直径约10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下，最少的达到10nm，获得最小线宽12nm的加工结果。 精品推荐
品牌： 美国AXIC 型号： PlasmaStar 100/100RIE 产地：美国 供应商：武汉迈可诺科技有限公司

PlasmaSTAR®系列等离子处理系统适合处理所有的材料，拥有多种腔室和电极配置，可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小，用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外，触摸屏计算机控制，多级程序控制和组件控制，操作简单。PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝， 有几种不同的电极设计，包括用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极，用于表面清洗或处理的交替多层托盘电极，用于最小化离子损伤的下游电极，和用于普通的圆柱形笼式电极。1、腔体尺寸：直径≥200mm，深度≥280mm；2、腔体材质：硬质阳极氧化铝矩形腔体；3、处理腔背面材质：铝；4、处理腔门：要求全自动腔门；5、两路工艺气体，≥2路质量流量控制器控制气体流量，气体输入腔室带匀流设计；6、射频功率：0~600W连续可调，13.56MHz，自动匹配，自然风冷；7、配备RIE平面水冷平板电极；8、7英寸及以上显示器、触摸屏、图形用户界面；  9、程序控制：触摸屏电脑控制，无线程序存储；10、Windows操作系统，兼容Windows office软件，USB接口，可进行外部电脑远程控制的功能；11、状态和出错信息提示，过程数据和出错信息存储，可选择自动和手动操作模式，过程数据可以导出，工艺参数以图形方式呈现，可实时监控，自动实现泄露检测；12、配套紧急急停按钮（EMO)，配套电路断路器，机械联锁（门传感器）和真空联锁（压力开关），通过软件可进行远程的真空联锁；13、典型的光刻胶刻蚀速率：80nm/min；14、典型工艺均匀性：≥±10%；

品牌： 美国AXIC 型号： PlasmaStar 200/200RIE 产地：美国 供应商：武汉迈可诺科技有限公司

PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝， 有几种不同的电极设计，包括用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极，用于表面清洗或处理的交替多层托盘电极，用于最小化离子损伤的下游电极，和用于普通的圆柱形笼式电极。型号： 反应离子刻蚀机PlasmaStar 200/200RIE产地： 美国品牌： Axic环球供应，本地服务！MYCRO专业为您提供实验室RIE反应离子刻蚀机设备，全方位的技术服务及售后，MYCRO值得您的的信赖！技术规格：型号PlasmaStar  100PlasmaStar100RIEPlasmaStar 200PlasmaStar 200RIE舱体尺寸直径254×深度356mm直径200×深度280mm宽305×高305×深406mm宽305 ×高200×深406mm舱体材质标配为阳极氧化铝舱体常用气体空气，氧气，氢气，氩气，氮气，CF4，SF6等和其他混合气体气路控制标配2路MFC，PlasmaStar  100最多可选配4路， 标配2路MFC，PlasmaStar  200最多可选配5路；控制系统电阻触摸屏操作界面程序控制PC触屏控制，可编程序，无线存储数据射频频率13.56 MHz射频功率0~600W瓦之间距连续可调，自动匹配0~1000W瓦之间距连续可调，自动匹配电极设计标准圆柱形笼式电极；标准圆柱形笼式电极；可选交替多层托盘电极；可选RIE平面处理水冷平板电极设备尺寸 宽800 x 深850 x 高525mm；宽1033 x 深850 x 高635mm；

品牌： 美国Chemcut 型号： Chemcut 2300 系列 产地：美国 供应商：香港电子器材有限公司

产品简介 导线框架(QFN)和BGA背蚀刻和半蚀刻系统 硷性蚀刻：•蚀刻速率：25 - 40 um / min，适用於厚铜(15um以上)蚀刻技术。•低侧蚀。•金属(镍/金)镀层无损坏。 酸性蚀刻： •蚀刻速率：5-10微米/分钟，适用於簿铜(15um以下)蚀刻技术。•高侧蚀。•可能会损坏金属(镍/金)电镀。 Chemcut 2300 系列小批量生产批量和原型系统 Chemcut 2300 是一种紧凑，双面，水平，传送带式，振荡喷射处理系统系列，采用了与大型系统相同的成熟技术和质量。 2300系列非常适用于实验室，原型和小批量印刷电路以及化学机械加工零件，仪表板和铭牌。 本系列湿法设备有多种配置，可用于铜和氯化铁蚀刻，碱性氨蚀刻，抗蚀剂显影，化学清洗和抗蚀剂剥离。该机器的特殊版本可用于专业处理，如使用氢氟酸和硝酸混合物进行蚀刻以及高温蚀刻（最高160°F，71°C）。 适用于：化学清洗铁蚀刻铜蚀刻碱性蚀刻抗蚀剂显影抗蚀剥离宽度15到20英寸18 X 24功能 应用于： 原型商店小批量商店开发实验室研发部门大学特殊加工替代化学品研磨特殊合金减少废物 湿式加工设备 CC8000 CC8000 设计用於加工半导体，IC (引线框架和IC基板)，高端HDI PCB / FPC，触控和LCD显示萤幕，太阳能和精密金属零件。其独特的喷涂架设计使其能够达到更高水平的蚀刻品质。自启动以来，已成交并安装了700多个系统。晶圆图案制作：•乾膜显影•铜蚀刻•钛/钨蚀刻 晶圆Bumping湿法工艺：•光阻显影：与Pad制作类似•光阻剥离：需要高喷洒压力(30 - 40 bars)•种子层(UBM)蚀刻：使用喷洒或浸渍技术  

品牌： 荷兰Trymax 型号： NEO200A 系列/NEO300A 系列/ NEO3400 产地：荷兰 供应商：香港电子器材有限公司

产品简介NEO200A 系列● Handling  - Dual Cassette  - 3 axis robot● Chammber Configurations  - RF only (13.56MHz)  - Microwave only (2.45GHz)  - Dual Source RF / MW  - DCP (13.56MHz)● 100 to 200mm compatibleNEO300A 系列● Handling  - Single Loadport (300mm)  - 3 axis robot● Chammber Configurations  - RF only (13.56MHz)  - Microwave only (2.45GHz)  - Dual Source RF / MW  - DCP (13.56MHz)● 200 to 300mm compatibleNEO3400 系列● Handling  - up to 4 Loadports (300mm)  - 4 axis robot with X-traverser● Chammber Configurations  - RF only (13.56MHz)  - Microwave only (2.45GHz)  - Dual Source RF / MW  - DCP (13.56MHz)● 200 to 300mm compatible

品牌： 美国KRI 型号： EH200 产地：美国 供应商：伯东企业（上海）有限公司

上海伯东美国考夫曼霍尔离子源于离子刻蚀 (IBE) 应用 Kaufman Robinson,Inc (KRi) End Hall 上海伯东为美国考夫曼公司离子源 离子枪 Kaufman Robinson, Inc (KRi) 大中华总代理.美国霍尔离子源 离子枪 EH200, EH400, EH1000, EH200, EH3000 系列不仅广泛应用于生产单位,且因离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性,单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 所以美国考夫曼霍尔离子源目前广泛应用于许多蚀刻制程及基板前处理制程.客户案例: 国内某大学天文学系小尺寸刻蚀设备1. 系统功能: 对于 Fe, Se, Te , PCCO及多项材料刻蚀工艺.2. 样品尺寸: 2硅芯片.3. 实际安装:刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼霍尔离子源 EH400HC离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内.离子源 EH400HC 控制单元操作 离子源 EH400HC 实际点燃 (氩气) 对于 FeSeTe 刻蚀应用, 离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 20 A/Sec对于 FeSeTe 刻蚀应用, 离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 17 ?/Sec霍尔离子源 EH400HC 优点:- 高离子浓度 (High density), 低能量(Low energy) - 离子束涵盖面积广 (high ion beam sharp) - 镀膜均匀性佳- 提高镀膜品质- 模块化设计, 保养快速方便- 增加光学膜后折射率 (Optical index) - 全自动控制设计, 超做简易- 低耗材成本,安装简易 KRI离子源简介： 美国考夫曼公司 离子源 离子枪发明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士将此专利授权 VEECO 生产.于1978年考夫曼博士在美国自行创立 Kaufman Robinson, Inc. (KRi) 美国考夫曼公司, 历经30年离子源 离子枪之改良及研发并取得多项专利,目前已在光学镀膜 (Optical coating), IBAD (离子源助镀), IBSD (离子溅镀), IBE (离子刻蚀), DD(离子镀膜)等等应用大量使用.上海伯东为美国考夫曼公司离子源 离子枪 Kaufman Robinson, Inc (KRi) 中国总代理 上海伯东主要经营产品德国 Pfeiffer涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管);氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRIKaufman 考夫曼离子源离子枪 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站: www.hakuto-vacuum.cn或与市场部门：孔生 联系Tel: 86-21-5046-3511转118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: ec@hakuto-vacuum.cn

品牌： 美国KRI 型号： RFICP40 产地：美国 供应商：伯东企业（上海）有限公司

上海伯东美国考夫曼离子源离子枪成功应用于离子刻蚀 (IBE) 上海伯东美国考夫曼离子源 离子枪 Kaufman Robinson, Inc (KRi) RFICP 成功应用于离子刻蚀 (IBE).上海伯东是美国考夫曼大中国区总代理,Kaufman Robinson, Inc 美国考夫曼公司离子源 离子枪 RFCIP系列已广泛应用于离子刻蚀 (IBE) 工艺. 考夫曼离子源具有高离子浓度 (High beam currents) 及低离子能量 (Low beam energies). 此两个特殊条件对于刻蚀效率及刻蚀中避免伤害到工件表面材质可以达到优化. 并且可以依客户之工件尺寸选择所对应之型号: RFICP40, RFICP100, RFICP140, RFICP200, RFICP300. 上海伯东主要经营产品德国 Pfeiffer涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管);氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRIKaufman 考夫曼离子源离子枪 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站: www.hakuto-vacuum.cn或与市场部门：孔生 联系Tel: 86-21-5046-3511转118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: ec@hakuto-vacuum.cn

品牌： 美国KRI 型号： eh 产地：美国 供应商：伯东企业（上海）有限公司

上海伯东授权代理 Kaufman Robinson, Inc (KRi) 美国考夫曼离子束与等离子源产品上海伯东为 Kaufman Robinson, Inc (KRi) 美国考夫曼公司大中华总代理. 离子源发明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士将此专利授权 VEECO 生产. 于1978年考夫曼博士在美国自行创立 Kaufman Robinson, Inc. (KRi) 公司并历经30年离子源之改良及研发并取得多项专利,KRI产品融合的一系列等离子技术提供了独一无二的操作与运行方式。这些技术使离子源与供电产品能够被正确的应用以便达到流程目标。此类技术基本上可以被分为几个类别：无栅式端部霍尔(eh)离子源 eH系列离子源可输出高离子流和低能源束。离子流达到高速运行需求的同时低能源束能够减少对设备外表面与内表面的伤害。有栅极射频感应耦合等离子体(RFICP)离子源 RFICP系列离子源可以在无灯丝的情况下提供高密度离子流.从离子流中提取的离子束能够被精确的控制以便提供设定的形状,电流密度以及离子能。有栅极KDC离子源 KDC系列离子源是根据典型的考夫曼离子源加强设计的。传统的离子源工艺使其能够输出高质、稳定的离子束。电源与控制器 我们的电源与控制器操作不同种类的离子、等离子以及电子源。这些产品能够为等离子流程中的动荷作用输出平稳、连续的电源。电子源与离子源中和器 这些电子源低能量、高电流源。它们一般应用于中和剂或阴极材料，以便控制离子源与等离子源的产量。PTIBEAMTM离子透镜 我们的离子束源采用耐融金属或石墨的多孔径网格。这些网格或是平的，或是中凹的，它们与多孔模式一同控制离子轨迹。离子轨迹的聚集产生了离子束，离子电流的分布塑造了该离子束的形状特征。上海伯东 主要经营产品 德国 Pfeiffer 涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的 真空测量(真空计, 真空规管); 氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI Kaufman考夫曼离子源（离子枪）。若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站: www.hakuto-vacuum.cn或与市场部门：孔生 联系Tel: 86-21-5046-3511转118Mobile: 86 150-2100-1343E-mail: ec@hakuto-vacuum.cn

品牌： 美国KRI 型号： 考夫曼离子源 产地：美国 供应商：伯东企业（上海）有限公司

伯东公司是美国考夫曼公司 Kuafman Robinson,Inc（KRI) 中国总代理. KRI 考夫曼公司是由离子源发明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士于 1978年在美国创立. KRI 考夫曼离子源历经 30 年改良及发展已取得多项专利, 受到各领域的肯定. KRI 离子源离子枪系列产品融合一系列等离子技术,提供了独一无二的操作与运行方式。KRI 离子源主要分为以下几类：无栅式端部霍尔离子源 eh eH 系列离子源离子枪可输出高离子流和低能源束。离子流达到高速运行需求的同时低能源束能够减少对设备外表面与内表面的伤害。有栅极射频感应耦合等离子体离子源 RFICP RFICP 系列离子源可以在无灯丝的情况下提供高密度离子流.从离子流中提取的离子束能够被精确的控制以便提供设定的形状,电流密度以及离子能。有栅极离子源 KDC KDC 系列离子源离子枪是根据典型的考夫曼离子源加强设计的。传统的离子源工艺使其能够输出高质、稳定的离子束。电源与控制器 我们的电源与控制器操作不同种类的离子、等离子以及电子源。这些产品能够为等离子流程中的动荷作用输出平稳、连续的电源。电子源与离子源离子枪中和器 这些电子源低能量、高电流源。它们一般应用于中和剂或阴极材料，以便控制离子源与等离子源的产量。PTIBEAMTM 离子透镜 我们的离子束源采用耐融金属或石墨的多孔径网格。这些网格或是平的，或是中凹的，它们与多孔模式一同控制离子轨迹。离子轨迹的聚集产生了离子束，离子电流的分布塑造了该离子束的形状特征。KRI 考夫曼离子源 EH1010F , EH1020F …系列广泛用于镀膜之前处理 (ISSP) 及离子辅助镀膜 (IBAD)且有助于提高光学成膜之沉淀速率, 附着度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等. KRI 考夫曼离子源整体设计低耗材, 安装简易, 维护简单广泛应用在生产企业和科研单位KRI 考夫曼离子源 EH1010F, EH1020F, EH3050F, EH5050F…系列, 目前被广泛应用于 AR, IR, 分光镜, 光学蒸镀镀膜制程, 多层膜光学镀膜制程, 低温度膜制, PVD 制程, 材料分析等等… KRI 考夫曼离子源 EH1020F 蒸镀制程设备应用 伯东公司主要经营产品德国 Pfeiffer涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管);氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRIKaufman 考夫曼离子源离子枪 若您需要进一步的了解详细信息，请与我们联系：www.hakuto-vacuum.cn TEL： 86 (021) 50463511转106 FAX： 86 (021) 50461490 Email: ec@hakuto-vacuum.cn

品牌： 英国Quorum 型号： Ｋ1050Ｘ 产地：英国 供应商：南京覃思科技有限公司

K1050X等离子处理单元由固态射频发生器结合调谐电路组成，同时两种处理气体流量针阀监控，全部或部分通气口控制。 它的腔室为圆柱形，样品装载为抽屉式抽拉系统，方便使用。 真空系统为旋转机械泵或可选用膜片泵作为前级真空的涡轮分子泵。 在真空装载端口及SEM/TEM中特殊的清洁应用时，可方便更换抽屉式抽拉系统。 此系统通常使用氧及氩的混合气体，氧去除有机物质（碳氢化合物），氩对样品表面进行刻蚀。

离子束刻蚀系统 仪器网离子束刻蚀系统产品导购专场为您提供离子束刻蚀系统功能原理、规格型号、性能参数、产品价格、详细产品图片以及厂商联系方式等实用信息，您可以通过设置不同查询条件，选择满足您实际需求的离子束刻蚀系统产品，同时离子束刻蚀系统产品导购专场还为您提供精品优选离子束刻蚀系统产品和离子束刻蚀系统相关技术资料、解决方案、招标采购等综合信息。