KRI 离子源应用
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.
Ion Beam Modification of Material Surface Properties 离子束材料和表面改性
- Surface polishing or smoothing 表面抛光
- Surface nano structures and texturing 改变纳米结构和纹理
- Ion figuring and enhancement 离子刻蚀成形
- Ion trimming and tuning 离子表面优化
- Surface activated bonding
Ion Beam Etching 离子蚀刻
- Reactive Ion Beam Etching 反应离子蚀刻
- Chemically Assisted Ion Beam Etching 化学辅助离子蚀刻
Ion Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积
- Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反应离子磁控溅射沉积
- Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏压离子束磁控溅射
Direct Deposition 直接沉积
- Hard and functional coatings 硬质和功能膜
作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个领域.
电话:+86-21-5046-3511
邮箱:ec@hakuto-vacuum.cn
地址:上海市浦东新区
新金桥路1888号36号楼7楼702室
201206
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