硅片清洗的最佳方法——干冰清洗

硅片清洗作为制作光伏电池和集成电路的基础，非常重要，清洗的效果直接影响到光伏电池和集成电路最终的性能、效率和稳定性。

清洗硅片不仅要除去硅片表面的杂质而且要使硅片表面钝化，从而减小硅片表面的吸附能力。高规格的硅晶片对表面的洁净度要求非常严格，理论上不允许存在任何颗粒、金属离子、有机粘附、水汽、氧化层，而且硅片表面要求具有原子级的平整度，硅片边缘的悬挂键以结氢终止。目前，由于硅片清洗技术的缺陷，大规模集成电路中

因为硅材的洁净度不够而产生问题甚至失效的比例达到50%，因此优化硅片的清洗工艺极其必要。

那么硅片能不能用干冰清洗呢?

当温度超过31.1℃、压强达到7.38MPa时，CO2处于超临界状态，可以实现气态和固态的相互转换。CO2从钢瓶中通过喷嘴骤然喷出，压力下降、体积极速膨胀，发生了CO2的等焓值变化，气液混合的CO2生成固态干冰微粒，从而实现清洗硅片。干冰微粒去除颗粒和有机物杂质的机理不同。

去除颗粒杂质时，干冰颗粒与颗粒杂质发生弹性碰撞，产生动量转移，颗粒杂质被粉碎，随高速气流被带走。去除有机物杂质时，干冰颗粒与有机物发生非弹性碰撞，干冰颗粒液化包裹有机物脱离硅片表面，然后固化被高速气流带走。XGuo等人提出了一种新型干冰微粒喷射清洗技术，采用纯度为5N、压强为8MPa的CO2气体源、喷嘴前压强11MPa的清洗参数，最后得到了很好的清洗效果。

采用干冰微粒清洗技术对硅片进行清洗效果十分理想，而且对硅片表面无损害，不会污染环境，是一种理想的清洗技术。

菲尔格林，公司基于互联网+的数据调查和高新技术支撑之下，建立了一条几近完善的干冰产业链，从干冰清洗设备的设计、研发、生产与销售，到多种规格的工业及食品应用干冰都有提供。

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