上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源成功应用于离子束抛光工艺 ( Ion Beam Figuring, IBF )

上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源成功应用于离子束抛光工艺 ( Ion Beam Figuring, IBF )
离子束抛光加工已逐渐成为光学零件表面超精加工常用的最后一道工艺, 离子源是离子束抛光机的核心部件. 上海伯东美国 KRI 直流电源式考夫曼离子源 KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机 ( IBF Optical coating ) 及晶体硅片离子束抛光机  ( IBF Clrystalline ) 工艺.
考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼离子源内置型的设计更符合离子源于离子抛光机内部的移动运行. 上海伯东是美国 KRI 考夫曼离子源中国总代理.
KRI 离子源离子束抛光实际案例一:
1. 基材: 100 mm 光学镜片
2. 离子源条件: Vb: 800 V ( 离子束电压 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速电压 ), Ar gas ( 氩气 ).

KRI 离子源离子束抛光实际案例二:
1. 基材: 300 mm 晶体硅片
2. 离子源条件: Vb: 1000 V ( 离子束电压 ), Ib: 69 mA ( 离子束电流 ), Va: -200 V ( 离子束加速电压 ) Ar gas ( 氩气 )