使用显微镜观察材料显微结构及光学和电子特性

使用显微镜观察材料显微结构及光学和电子特性

制备的硅纳米晶的材料性质：SiC薄膜，其特征在于由傅里叶变换红外光谱仪，X-射线，X-射线光电子光谱仪，
拉曼光谱仪，字段diffractormeter发射扫描电子显微镜，霍尔和N＆K分析仪。

H2流量比率的化学组成，显微结构，光学和电子特性的Si-纳米SiC薄膜起着重要的作用。

SiC薄膜的结晶级分的Si-奈米增加随着H2流量比增加。的光学带隙和掺杂浓度显示的正相关性，
而电阻率和活性能量显示负的Si-奈米与碳含量的相关性：SiC薄膜。中的增强的Si-C伸缩模式和对面的Si-H，
摆动模式作为碳含量的Si-奈米：SiC薄膜进行了增加。

p-型Si-奈米：碳化硅沉积参数的优化后，我们制作了硅HJ与铝/ ITO / p型硅纳米结构：
碳化硅电影/征a-Si：H / n型晶体硅：H / ITO /银/铝和特点的电池性能。
最后，在Si-HJ细胞与14.50％的转换效率，开路电压为520毫伏，和短圆电流密度为42.5 mA/cm2时被实现。