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显微镜来观测积体电路，解像力约为4微米
解像力由光点大小来决定。实际的显微镜系统，其实有一塑胶膜覆盖在镜片上，扫描的雷射光点愈小则塑胶膜的不良效应愈显着（光点愈小在膜中发散愈大，且能量愈小愈易被塑胶膜吸收），当光点大小小至声波波长的两倍，则所覆盖的塑胶膜再也无法反应出声波强度了。
反之，光点大则解像力差。最小的可用光点约为声波波长的1.5倍，因此，解像力其实和第一类显微镜上一样受限于声波波长而非光波波长。对于同样的操作频率，第一类显微镜的解像力比第二类要好3～4倍。
第三类的显微镜，在发射器与接收器的安排上正和第二类相反。此类显微镜乃是用一雷射光或电子束来照射与扫描受测物以激发超声波，在受测物背面贴一压电换能器以接收所产生之超声波。因此，这类显微镜和前两类，在声波的激发上大不相同。受测物因雷射或电子束照射而发热，藉材料所谓的热弹性特性，而产生弹性波，因此所显示的影像其实是反应材料的热与弹性特性对光或电子的吸收系数，及波束在物体内的发散特性，而非材料对声波的穿透特性。
解像力则受限于电子束或雷射光束的大小，及波在受测物内部发散及热扩散的情形。受测物受雷射光或电子束的週期性照射，週期性的产生热量而激发出热波（thermal wave），其波长则决定于受测物的传热度、密度、比热及激发的雷射光或电子束的频率。在金属中，若激发频率由200KHz～200MHz，则对应波长为5.0～0.2微米。在热绝缘体中，则对应波长由1.0～0.03微米。目前，用此显微镜来观测积体电路，解像力约为4微米；若受测物为一薄膜，则解像力可高至0.1微米
