PL光谱测量分析技术简介

PL光谱测量分析技术简介-微荧光显微镜

微荧光光谱量测分析技术

PL光谱已经是一个相当成熟的非破坏性量测技术。透过PL光谱的分析，可检测发光半导体中许多材料特征，
如能隙大小、杂质活化能或化合物半导体的组成等特性，进而与其他检测技术交叉比对。
当入射光能量高于材料之能隙时，价带(valence band)中的电子受到激发而跃升至导带(conduction band)，

形成电子-电洞对(electron-hole pair)。当电子与电洞再次複合时，会产生荧光，称为辐射性複合。

此外，电子与电洞也可能以非放光方式将能量释出，亦称为非辐射性複合。
当导带中的电子与价带中的电洞彼此因库伦作用力而束缚在一起时，称之为激子(exciton)。由于激子具有束缚能，
会导致其複合时的能量将小于能隙的跃迁能量。