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硅浓度分层分析数据专业用显微分析专业显微镜
纯铁渗硅时，加热速度的有利影响表现得有些不同。在
以3000℃/s的速度加热时，边界反向位移比用100℃/s的逮
度加热时大约大3倍。虽然气孔率水平较低，但反向位移没
有提前开始。
α底层中的浓度梯度。45纲的底层增长期间，在加热速度
比较快时，浓度梯度较小。在烧结阶段，随着加热速度增加，
由于硅含量增加和底层尺寸减小，浓度梯度显著增加。
高的加热速度可以得到更薄的底层和高的硅含量。
正如曾经指出过的，电加热不会引起渗层中硅浓度分布
原则性的变化。在显微分析器上得到的硅浓度分层分析数据
是这一结论的依据。但是，硅和铁的总含量小于100%的
这一不足可能和存在碳有关。在渗硅过程开始时这一差额比
较可观，在渗层烧结期间尤其大（百分之几)，而在以后期
间这一“赤字”不很大。45钢用100℃/s和3000℃/s的速度
加热，在1000℃渗硅时的浓度关系曲线具有这样的特点。
指出过共析钢气体渗硅时，在渗层中出现石墨
_夹杂，在用电加热气体渗硅时，也可能存在石墨。其证据是用
某些规范电加热渗硅时，在表面层中有黑色区.
黑色区的消失，相当于气孔率曲线上的最小值。看来，渗层的烧
结，伴随着碳从这些区域扩散(可能向渗层中的气孔和试祥心
部扩散)。在电加热时，因为增加了奥氏体中缺陷的浓度，为
阻止碳留在表面区创造了条件:在开始期间，许多铁以氯化物
气体的形式消耗掉;碳的浓度在烧结阶段增加一倍，这
可能是由于伴随着硅的反应扩散，碳也反向扩散所造成的。
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