测量外延层厚度

外延淀积层的测定

  厚度与厚度梯度
  目前常用的测定法有两种，现介绍如下：

磨角染色法 
外延层和衬底导电类型相反时使用这种方法。
  1．从待测的每片硅片上划下一小块。这样做是为了识别
基座上每片硅片的位置和定位。

  2．淀积后，紧接着从前至后将每片硅片掰成两半，并将其
中半片装在磨角器上。大得足以固定半片硅片的磨角器将会给
测定带来很大的方便。

  3．将硅片样品磨出角度并用象氢氟酸加上
三滴硝酸等那样的PN结染色液进行染色。
  4．用标有刻度的显微镜目镜测量染色部分，或用单色光源的干涉
仪对条纹计数。

测量外延层厚度的最普通方法是红外干涉法。此方法是根
据轻、重掺杂硅之间在折射指数方面存在微小的差异。外延层
与衬底的折射指数方面的这种差异将会产生反射，在一定条件
下在红外光照射下能观察到由这种反射形成的干涉条纹。

硅相当硬又很脆，其表面能抛光得光亮如镜。从性质上来
说，硅在很多方面表现为金属，但在有些方面则介于金属(导体)
与非金属(绝缘体)之间。一块0．02英寸厚的单晶硅片若变形
得厉害就要象玻璃一样破裂，但与玻璃不同之处在于，硅单晶容
易沿某些固定的平面破裂，而玻璃则无这种情况。

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