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离子研磨抛光仪是一台高质量的 sem 样品制备台式精密仪器，满足几乎所有应用材料的制备。离子研磨抛光仪是通过物理科学技术来加强样品表面特性。使用的是惰性气体中具有代表性的氩气，通过加速电压使其电离并撞击样品表面。在控制的范围内，通过这种动量转换的方式，氩离子去撞击样品表面从而达到无应力损伤的 sem 观察样品。
1060 ion milling 台式离子研磨抛光仪
先进的样品制备技术
如今 sem 在快速研究和分析高端材料结构和性能方面被认为是一种非常理想的手段方式，fischione 1060 是一个优秀的样品制备工具，是一台具有目前最先进技术的离子研磨抛光系统，设计精巧，操作方便，性能稳定。1060 离子研磨抛光仪为 sem 呈现样品表面结构和分析样品特性提供了便利，是 sem 样品制备完美的工具，正不断用于制备高质量的 sem 样品，满足苛刻的成像及分析要求。
专利的双离子束源
fischione 1060 两束专利电磁聚焦离子束源可直接控制作用在样品表面的离子束斑点直径，操作者可以根据需求自己调节。两束离子束可以同时聚焦在样品表面，这样可以大大提高研磨抛光速度。1060 离子束源采用独特的专利电磁聚焦设计，这样的设计可以让离子束斑点直径可调，从而离子撞击的时候是直接撞击样品，且只可以撞击样品，同时样品溅出的材料不会沉积在样品夹具、样品仓或者样品表面上。
离子研磨抛光仪有哪些应用
sem 样品制备时常常需要研磨抛光。制样时即使再留意，常常一些不理想的形貌也会出现。随着 sem 技术的快速发展，即使一个微不足道的损伤也会限制样品表面的彻底观察分析。通过惰性气体离子研磨抛光解决样品表面之前的损伤是一个非常理想的方法。这是离子研磨的基本功能。
块状样品
事实上一些无机样品也受益于离子研磨抛光技术。当离子束低入射角度直接作用在样品上时，样品表面剩余的机械应力损伤，氧化层及残留物层均会被溅出，最终显现原始的形貌供 sem 观察和分析。
ebsd
ebsd 是一项非常有用的技术，可以让 sem 获取更多晶体信息，因为通过 sem 获得的背散射电子信息能很好的反应材料晶体结构、晶向和晶体纹理。ebsd 对表面信息非常敏感，任何轻微的表面缺陷均能通过 ebsd 获得比较好的图案信息。因此通过离子研磨抛光来增强表面信息是非常有利的。为了让 ebsd 提高到更好的检测水平，离子研磨抛光能被用来去除精细样品材料的表面材料。使用二维的方法无法得到这一系列的技术产量切片技术。
半导体截面观察
在半导体行业的很多案例中，离子研磨抛光可以让失效分析快速的得到有用的信息。通常切割或者机械研磨样品会产生样品表面损伤，这些问题可以通过离子研磨抛光来解决，这也得力于多样化的样品夹具来优化了这些操作过程。
使用飞纳台式电镜观察 1060 离子研磨抛光仪制样效果
1060 离子研磨抛光仪标准版和专业版
1060 离子研磨抛光仪技术参数
离子束源
两束电磁聚焦离子源
加速电压范围： 100 ev - 6.0 kev，连续可调离子束流密度高达 10 ma/cm2
可选择单束或者双束离子源工作
独立控制两束离子束源加速电压 （仅专业版）
样品台
离子束入射角 0? 到 +10?
最大样品尺寸：直径 25mm，高度 15mm样品高度自动感应
360? 样品旋转
样品往复摇摆，从 ±40? 到 ±60?
真空系统
两级真空系统：无油干泵和涡轮分子泵
皮拉尼型真空计感应控制真空
工作气体
99.999% 纯度的氩气
每离子束流速约 0.2 sccm，名义上所需压力为 15psi 采用自动气体流量控制技术，实现离子源气流的精密流量控制，含两个流量计
气压源
气动阀驱动氩气,液氮, 或者干燥空气；所需压力要求名义上 60 psi
样品照明
用户可选的反射照明
自动终止
计时器设定自动加工终止
用户界面
标准版
内置触摸屏，包含基本设备功能模块
专业版
?内置触摸屏，包含基本设备功能模块
?基于电脑，加工流程可通过参数编程并实时显示操作状态
?操作灯光指示器（选配）
辅助光学显微镜
可选配一个 7-45 倍的体视显微放在与真空系统内用于直接观察样品；或者选配一个具有 2,000 倍的显微成像系统，用于定点成像并显示在电脑显示屏上
尺寸
标准版
69cm*38cm*74cm*51cm （宽*底端到设备外壳高*底端到显微镜高*深）
专业版
107cm*38cm*74cm*51cm （宽-含电脑显示器*底端到设备外壳高*底端到显微镜高*深）
重量
73 kg
电源
100/120/220/240 vac，50/60 hz，720 w
