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近日，德国SciDre高温高压光学浮区法单晶炉（HKZ系列）分别在中国科学院固体物理研究所和南昌大学顺利完成了安装调试。
光学浮区法单晶生长工艺具有无需坩埚、无污染、生长快速、易于实时观察晶体生长状态等诸多优点，有利于缩短晶体的研究周期并加快难以生长晶体的研究进展，非常适合晶体生长研究，近年来备受关注，现已被广泛应用于各种超导材料、介电和磁性材料以及其它各种氧化物及金属间化合物的单晶生长。
图1：现场安装培训
图2：现场安装培训
目前，高熔点、易挥发性材料的浮区法单晶生长是一大棘手问题，德国SciDre公司推出的HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉成功地克服了这一技术难题。HKZ可提供最高达3000℃以上的生长温度，晶体生长腔最大压力可达300bar。HKZ的诞生进一步优化了光学浮区法单晶炉的生长工艺条件，使得高熔点、易挥发性材料的单晶生长成为了可能。
图3：德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉
德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉技术特色：
◆ 能够同时实现最高压力300bar大气压（选配）和最高温度>3000℃（选配）；
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能够分别独立控制不同气体的流速和流量，能够实现样品生长的气体定速定量混合反应；
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在保持灯泡输出功率恒定的情况下，采用调节光阑（shutter）的方式对熔区进行控温，从而能够有效延长灯泡使用寿命；
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能够针对不同温度需求采用不同功率的灯泡，从而对灯泡进行有效利用，最大化灯泡使用效率和寿命；
◆ 拥有丰富的功能选件可进行选择和拓展，包括专利熔区红外测温选件、最高1×10-5mbar的高级真空选件、实现氧含量达10-12PPM的气体除杂选件、对长成的单晶可提供高压氧环境退火装置选件。
图4：德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉原理示意图
Quantum Design 团队在中国科学院固体物理研究所和南昌大学进行的德国SciDre高温高压光学浮区法单晶炉（HKZ系列）的安装调试工作受到了客户和制造商的一致好评。我们也祝愿广大Quantum Design用户科研顺利！
