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《石墨烯锂积体电路物理现象电晶体(SiC 晶体管)热阻物理学法则的测试》规范提案(线上)座谈会顺利完成召开大会

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放大字体  缩小字体    发布日期:2021-06-11  来源:仪器网  作者:Mr liao  浏览次数:38
核心提示:2021年5月26日下午,联盟团体标准T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》标准草案线上讨论会顺利召开。本次会议共计15位专家代表参与标准研讨。会议由联盟标委会高伟博士

2021年5月26日下午,联盟团体标准T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》标准草案线上讨论会顺利召开。本次会议共计15位专家代表参与标准研讨。

会议由联盟标委会高伟博士主持,联盟秘书长于坤山提到团体标准作为国行标的补充,具有十分重要的意义,目前第三代半导体特别是碳化硅相关的应用发展迅速,国内外都非常的关注,但是缺乏相关的标准,该项标准的制定有助于促进相关平台的建设,推动企业研发工作的同时促进上下游之间的交流。

本次会议主要针对T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》标准草案的范围、术语与定义、试验方法等内容进行充分讨论,并提出了诸多修改意见。SiC MOSFET的热阻在热管理设计中具有重要作用,热阻能够为器件运行时的结温评估与结构评价提供信息,为器件设计与优化改进提供参考,衡量器件散热性能的关键指标之一。准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价具有重要意义。

 
关键词: 标准 热阻 SiC MOSFET 联盟
 
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