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MOCVD被称为有机金属化学气相沉积法，就是以金属有机物(如TMGa, TMAI, TMIn, TEGa 等)和烷类(如AsH3, PH3, NH3 等)为原料进行化学气相沉积生长单晶薄膜的一种技术，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延。金属有机化合物大多是具有高蒸气压的液体，通过氢气、氮气或者其他惰性气体作为载气，将其携带出与烷类混合，再共同入反应室高温下发生反应。
氢气在MOCVD中担当载气，将III（II）金属有机物和V（VI）族氢化物以及掺杂源携带运输到反应室内，为化学沉积反应和薄膜生长提供基础。MOCVD要求氢气纯度≥99.999%（≥5N），进口压力为4-7bar，而Proton G4800和S系列氢气发生器所产氢气可以符合这一领域的用气需求。
其中，Proton G4800输出氢气的纯度为99.9999%（6N），含水量小于1ppm,氢气纯度优于MOCVD设备的要求，有利于提高半导体薄膜品质和设备产出；同时，氢气纯度稳定不变，减少了氢气纯度波动对设备的影响。
另外，G4800和S系列氢气发生器是现场制氢，发生器内部氢气储藏量少。同时，内置可燃气体探测器，一旦氢气泄漏，发生器报警停机，将降低氢气的危险系数。
此外，该系列设备操作便捷，保障氢气供应连续不间断，用户无需担心氢气用完，也无需和高压气体钢瓶接触。发生器自动运行，无需额外人工操作；发生器自动侦测自身工作状态和错误，一旦侦测异常，发生器报警。
