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微光显微镜(EMMI)硅器件电发光特征失效分析

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放大字体  缩小字体    发布日期:2019-03-12  来源:仪器信息网  作者:Mr liao  浏览次数:1017

微光显微镜(EMMI)硅器件电发光特征失效分析


EOS失效分析——微光显微镜工具

  微光显微镜(EMMI)工具利用了硅器件电发光的特征。微光显微
镜对于ESD设备工作和缺陷观测是非常重要的。微光显微镜的优势
之一是它可以在没有减少层级或破坏样品的情况下把目标区域可视
化。对于ESD失效分析,对正向和反向偏置的电子发光特征的评测
提供了有关缺陷、错误、失效和设备操作的信息。电子空穴对(EHP
)的复合与产生进而产生光子。在电子空穴对复合过程中少数载流
子与多数载流子复合就放出一个光子。雪崩击穿也会导致光子的产
生。因此,电发光可用于正向偏压电流和反向击穿现象评估。此外
,可以用光子发射来发现氧化物和电介质失效。
  EMMI工具是为半导体缺陷成像而开发的。一些EMMI工具有光学
显微镜系统和一个图像增强器。图像增强器放大来自光学显微镜的
信号,然后把信号输出到CCD相机℃ID和CCD相机的输出连接到一个
图像处理计算机。然后输出到计算机上显示。可视化软件有二维和
三维映射,三维数据的截面视图可以产生二维图像。近年来,低温
冷却的背部薄化CCD相机以及软件采集系统越来越多地被使用。

(本文由上海光学仪器厂编辑整理提供, 未经允许禁止复制http://www.sgaaa.com)

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