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InGaAs PIN光电二极管MPGD4961T
1、说明
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。
2、特点
快响应时间、金属化单模尾纤封装、低暗电流、高响应度、高可靠性。
3、应用
光纤通信，数据/图象传输，激光通信、激光雷达，其他应用如快速光脉冲检测。
4、最大额定值
最大额定值
单位
最大额定值
单位
工作电压
10
V
功耗
10
mW
正向电流
10
mA
工作温度
-40~85
℃
焊接温度
260（10秒）
℃
存储温度
-40~85
℃
5、参数性能（Ta=23℃）
参数
符号
测试条件
最小
典型
最大
单位
光参数
光谱响应范围
λ
900～1700
nm
响应度
Re
VR=5V,λ=1.3μm，φe=100μw
0.85
A/W
VR=5V,λ=1.55μm，φe=100μw
0.90
3dB带宽
BW
λ=1.3μm,RL=50Ω，
start from 133MHz
4
GHz
线性响应饱和功率
Φs
VR =5V, RL=50Ω
2
mW
光回波损耗
ORL
30
dB
响应时间
tr
VR=5V， RL=50Ω
0.1
ns
电参数
暗电流
ID
VR=5V
0.5
1.0
nA
工作电压
VR
D.C.
5.0
V
反向击穿电压
VBR
IR=10μA
50
V
6、封装、管壳框图和管脚接法（单位：mm）
管脚接法
7、光谱响应曲线
8、使用方法及注意事项
器件在反向偏置 5V下工作。
使用中防止剧烈震动、冲击，以免光纤损坏。
在使用前请将光纤连接头用酒精和脱脂棉清洗干净。
在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。
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