DSKDY安1安四样品导电性/方阻测试仪vsDSKDY安1同型四样品导电性/方阻测试仪vs储备讯息vs91化学工业仪器网

 主要技术指标（1）仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法（2）范围：电阻率10-4～10+4欧姆 厘米，分辨率为10-4欧姆 厘米方块电阻10-3～10+5欧姆/□，zui小分辨率为10-3欧姆/□（3）可测量材料：半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等可准确测量的半导体尺寸：直径 20㎜可测量的半导体尺寸：直径 8㎜（4）测量方式：平面测量。（5）电压表：双数字电压表，可同时观察电流、电压变化A.量程0~199.99 mVB.基本误差 （0.004%读数+0.01%满度） C.输入阻抗﹥1000M D. 4 1/2位数字显示，0～19999（6）恒流源：A.电流输出：直流电流0.003～100 mA连续可调，有交流电源供给B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五档 C.恒流源精度：各档均 0.05%（7）四探针测试探头A.探头间距1.59㎜  B.探针机械游率： 0.3%C.探针直径0.8㎜  D.探针材料：碳化钨，探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。（8）手动测试架：KDJ-1A 型手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200（mm）。（9）测量系统KDY测量系统设计语言：VC++，可对四探针、两探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据，特定数据存储格式，显示变化曲线。兼容性：适用于通用电脑，支持Windows XP。（10）精度电器精度：1-1000欧姆 0.3 %整机测量精度：1-500欧姆 厘米 3%（11）电流：220V 10%，50HZ，功率消耗﹤35W四探针头简介一、特点测量电阻率的小游移探针头。使用几何尺寸十分精确的红宝石轴套，确保探针间距的恒定、准确。控制宝石内孔与探针之间的缝隙不大于6 ｍ，保证探针的小游移率。采用特制的S型悬臂式弹簧，使每根探针都具有独立、准确的压力。量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内稳定运动，持久耐磨。二、用途测量硅、锗单晶（棒料、晶片）、定向结晶多晶硅的电阻率，测定硅外延层、扩散层和离子注入层以及导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻测量。探针间距1.00mm的探针头适合测量直径小于50mm的的直径单晶片。探针间距1.59mm的探针头相对精度高，在SEMI标准中为仲裁探针头，适合测量直径大于50mm的的大直径单晶片，因为探针直径较粗更加耐磨且不易断针，所以尤其适合测量硅、锗单晶棒、块。三、规格型号：KDT-1：探针合力8 1N，探针间距1.00mm，探针直径0.5 mm，针尖压痕直径25 50 ｍ，用于测量硅棒、硅块KDT-2：探针合力8 1N，探针间距1.59mm，探针直径0.8 mm，针尖压痕直径25 50 ｍ，用于测量硅棒、硅块KDT-3：探针合力6 1N，探针间距1.00mm，探针直径0.5 mm，针尖压痕直径50 100 ｍ，用于测量硅片KDT-4：探针合力6 1N，探针间距1.59mm，探针直径0.8 mm，针尖压痕直径50 100 ｍ，用于测量硅片KDT-5：探针合力4 1N，探针间距1.00mm，探针直径0.5 mm，针尖压痕直径100 250 ｍ，用于测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻KDT-6：探针合力4 1N，探针间距1.59mm，探针直径0.8 mm，针尖压痕直径100 250 ｍ，用于测量硅外延层、扩散层和离子注入层、导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻在探针头型号后缀带B、A、AA、AAA为探针头等级，如KDT-2B，这类探针为焊接式，探针头测量精度高、稳定性好，维修一般需寄回厂家，使用次数大于5万次（人为因数断针、连接线除外）。在探针头型号后缀带P 的为探针可拔插式，如KDT-2P，这种探针更换方便，弹簧使用寿命长可达百万次，测量稳定性稍差，这类探针头都属于B级探针头。四、技术指标探针头主要分为4个等级，其中AA、AAA级提供中国计量院检测报告，A级提供本公司的检测报告。游移率  B级 ＜0.5%  A级 ＜0.3%   AA级 ＜0.2%  AAA级 ＜0.1%间距偏差  B级 ＜3%  A级 ＜2%  AA级  ＜2%  AAA级 ＜1%探针针与导孔间隙小于0.006mm，探针机械游移率低，从而保证测量重复性探针材料：硬质合金（主成份：碳化钨）500V绝缘电阻：＞1000M 七、外形尺寸及安装：探头基本外径为25.4mm（1英寸），可安装在内径为26mm的套筒上。