KRI 考夫曼离子源 RPICP 200

KRI 考夫曼离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源,适用于离子溅镀,离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 离子源 RFICP 220 配有离子光学元件,可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.
KRI 考夫曼离子源 RFICP 220 技术参数：

KRI 考夫曼离子源 RFICP 220 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

其他产品
电话：+86-21-5046-3511
邮箱：ec@hakuto-vacuum.cn
地址：上海市浦东新区
新金桥路1888号36号楼7楼702室
201206
详细资讯