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半导体模块全参数测试设备
EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT与二极管的静态参数：其测试范围如下：l栅极-发射极漏电流测试单元 VGES、IGESl栅极-发射极阈值电压测试单元 Vge（th）l门极-发射极间电压测试单元 VCES、ICESl集电极-发射极饱和电压测试单元 Vge（sat）、ICl二极管压降测试单元 VF、IFl二极管反向击穿电压测试单
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2019-06-13 |
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绝缘栅型场效应晶体管测试仪
现今IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。半导体元件除了本身
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2019-06-13 |
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半导体器件静态参数测试仪
EN-3020C IGBT静态参数测试系统是一款针对IGBT和二极管的各种静态参数而研制的智能测试系统。系统标准功率源为2000V/1500A。本系统适合各大研究院所做元器件检验，元件进厂检测筛选以及在线开发器件做生产测试。系统可扩展性强，通过选件可以提高电压、电流的测试能力和增加测试品种范围。自动快速测试可以满足用户大生产需
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2019-06-13 |
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功率模块测试设备
测试范围EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT与二极管的静态参数：其测试范围如下：l栅极-发射极漏电流测试单元 VGES、IGESl栅极-发射极阈值电压测试单元 Vge（th）l门极-发射极间电压测试单元 VCES、ICESl集电极-发射极饱和电压测试单元 Vge（sat）、ICl二极管压降测试单元 VF、IFl二极管反向击穿电
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2019-06-13 |
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IGBT测试仪
现今IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。半导体元件除了本身
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2019-06-06 |
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功率器件测试仪
l针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统l大功率（电压2000V，电流1500A）l自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作）l计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储l采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点l测试方法灵活（可完美测试器件以及单个单元和多单元的模块测试）l安全
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2019-06-06 |
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