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ICP刻蚀 NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机
NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机概述：是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。NRE-4000（ICPM
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2025-01-23 |
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刻蚀设备 NDR-4000（A）全自动DRIE深反应离子刻蚀
NDR-4000（A）全自动DRIE深反应离子刻蚀概述：全自动上下载片，带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8 ICP源。系统可以配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。NDR-4000（A）全自动DRIE深反应离子刻蚀主要特点：基于PC控制的紧凑
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2025-01-23 |
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