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磁控溅射镀膜机 NSC-3500（A）全自动磁控溅射系统
NSC-3500（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(可加热到700度)功能，可达到6旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7Torr，15分钟内可以达到10-6Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3500（A）带有14”立方形不锈钢腔体，3个2”
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2025-01-23 |
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光学镀膜机 NOC-4000光学镀膜系统 那诺-马斯特
NOC-4000光学镀膜系统概述：NANO-MASTER NOC-4000光学涂覆系统提供先进的技术，在一个腔体中实现原子级清洗和光学样片抛光，然后把样片传送到第二级腔体中对同一样片进行表面涂覆，整个过程不间断真空。系统的设计也可以支持其中任一个腔体的单独使用，同时具备各自的自动上/下载片功能。NOC-4000光学镀膜系统应用：光学涂
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2025-01-23 |
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NMC-4000（A）全自动PAMOCVD系统
NMC-4000（A）全自动PAMOCVD系统概述：NANO-MASTER针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵(5 x 10-7T
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2025-01-23 |
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等离子体刻蚀 NRE-4000型RIE-PE刻蚀机
NRE-4000型RIE-PE刻蚀机概述：NRE-4000是一款独立式PE刻蚀RIE刻蚀一体机，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口：一个带有2的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持至大到12的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6Torr 或
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2025-01-23 |
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NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统
NLD-4000(A)全自动原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD
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2025-01-23 |
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离子束刻蚀 NIE-4000IBE离子束刻蚀系统
NIE-4000IBE离子束刻蚀系统概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。NANO-MAS
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2025-01-23 |
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离子束刻蚀机 NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀
NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去
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2025-01-23 |
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ICP刻蚀 NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机
NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机概述：是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。NRE-4000（ICPM
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2025-01-23 |
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