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NMC-4000 MOVPE设备
MOVPE设备概述：MOVPE，也就是大名鼎鼎的MOCVD(金属有机物化学气相沉积), 针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有加热的气体管路、5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、950度样品台三个气体环、PC全自动控制、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、 250
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2025-01-23 |
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磁控溅射镀膜机 NSC-3500（A）全自动磁控溅射系统
NSC-3500（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(可加热到700度)功能，可达到6旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7Torr，15分钟内可以达到10-6Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3500（A）带有14”立方形不锈钢腔体，3个2”
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2025-01-23 |
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脉冲激光沉积 NPD-4000（M）PLD脉冲激光沉积系统
NPD-4000（M）PLD脉冲激光沉积系统机制：PLD的系统设备简单，相反，它的原理却是非常复杂的物理现象。它涉及高能量脉冲辐射冲击固体靶时，激光与物质之间的所有物理相互作用，亦包括等离子羽状物的形成，其后已熔化的物质通过等离子羽状物到达已加热的基片表面的转移，及z后的膜生成过程。所以，PLD一般可以分为以下四个阶
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2025-01-23 |
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PECVD设备 微波等离子化学气相沉积系统 那诺-马斯特
微波等离子化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜，至大可达6” 直径的基片上，该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势，样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的
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2025-01-23 |
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刻蚀设备 NRE-3500（A）全自动反应离子刻蚀机
NRE-3500（A）全自动反应离子刻蚀机概述：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持至大到12的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6Torr 或更小的极限
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2025-01-23 |
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磁控溅射仪 NSC-4000Sputter磁控溅射镀膜机
NSC-4000Sputter磁控溅射镀膜机产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃腔70，250或500 l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机全自动控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁
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2025-01-23 |
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电子束蒸发镀膜机 NEE-4000（A）全自动电子束蒸发系统
NEE-4000（A）全自动电子束蒸发系统概述：NANO-MASTER NEE-4000电子束蒸发系统为双腔体的配置，其中样品台位于主腔体内，二级腔体则用于安置电子束源。这种在两个腔体之间带有门阀的配置可以作为预真空锁，使得电子束源腔体保持真空的情况下，实现基片通过主腔体放入基片到样平台(或夹具)上或从中取出。在需要自动装/卸载基
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2025-01-23 |
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NIE-3000离子源清洗系统
NIE-3000离子源清洗系统产品概述：该系统为手动放片取片，但通过计算机全自动实现工艺控制的台式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。NIE-3000离子源清洗系统产品特点：低成本离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4,5,6兼容反应及非反应气
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2025-01-23 |
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